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簡要描述:日本SUNX神視反射型光電傳感器基本指導(dǎo)斷300A DC150V/10次 電氣緣電阻初始) 100MΩ以上(使用DC500V緣電阻計)耐電壓(初始) 觸點(diǎn)間 AC1,500V1分鐘(檢測電流:10mA)
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日本SUNX神視反射型光電傳感器基本指導(dǎo)
高34mm對環(huán)境無污染采用無鎘觸點(diǎn)無鉛焊錫未使用污染環(huán)境物質(zhì)
觸點(diǎn)zui大通電電流?短時間通電1,000A(0.1s)
(電負(fù)載) 2.zui大DC 100V 800A通斷型輕量
通過使用2點(diǎn)切斷觸點(diǎn)技術(shù)和*磁鐵
實現(xiàn)了小型高容量1.DC 100V 100A下通斷1萬次以上
觸點(diǎn)與線圈間 AC2,500V1分鐘(檢測電流:10mA)
動作時間 30ms以下(施加額定工作電壓時
不含觸點(diǎn)彈跳、at20 ℃)復(fù)位時間
日本SUNX神視反射型光電傳感器基本指導(dǎo)
15ms以下(施加額定工作電壓時、at20 ℃)
端子間壓降初始)0.15V以下(100A通電時)
zui大通斷電流800A DC100V/3次 ※3過負(fù)載通
斷300A DC150V/10次 電氣緣電阻
(初始) 100MΩ以上(使用DC500V緣電阻計)
耐電壓(初始) 觸點(diǎn)間 AC1,500V1分鐘(檢測電流:10mA)
觸點(diǎn)材料Ag合金額定控制容量(電阻負(fù)載) 100A 100V DC
zui小適用負(fù)載(參考值) ※1 1A12VDC
該值為檢測距離上的值以光強(qiáng)度的1/e2(約13
.5%)定義這些值如果定義區(qū)域外有
光泄漏并且檢測點(diǎn)周圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)檢測結(jié)果可能會受到影響
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